ซัมซุงประกาศว่าเริ่มกระบวนการผลิตชิปหน่วยความจำแบบฝัง eUFS 3.0 แบบแมสแล้ว ทำความเร็วในการอ่านเขียนจาก eUFS 2.1 ขึ้นมา 2 เท่าอยู่ที่ 2,100MB/s สำหรับการอ่านและ 410MB/s สำหรับการเขียน
ส่วนการอ่านเขียนแบบสุ่มก็เพิ่มขึ้นมาอยู่ที่ 63,000 IOPS และ 68,000 IOPS ตามลำดับ โดยหน่วยความจำ eUFS 3.0 ที่จะถูกผลิตออกมาก่อนคือความจุ 128GB และ 512GB ส่วนความจุ 256GB และ 1TB จะเริ่มผลิตตามมาในช่วงครึ่งหลังของปีนี้
ที่มา - Samsung