ซัมซุงประกาศความสำเร็จในการพัฒนาแรมแบบ DDR4 DRAM ซึ่งมีข้อดีเหนือกว่า DDR3 ทั้งในเรื่องพลังงานและอัตราการส่งข้อมูล
ในการผลิตที่ 30 นาโนเมตรเท่ากัน โมดูลของแรม DDR3 ส่งข้อมูลได้สูงสุด 1.6Gbps โดยกินไฟ 1.35-1.5V ส่วนโมดูลแรม DDR4 ส่งข้อมูลได้สูงสุด 2.133Gbps แต่ใช้ไฟเพียง 1.2V ซึ่งในการใช้งานจริงบนโน้ตบุ๊กจะลดพลังงานลงได้ 40%
เทคโนโลยีที่ใช้ผลิตคือ Pseudo Open Drain (POD) ที่ลดกระแสไฟฟ้าลงครึ่งหนึ่งจากเดิม ตัวแรม DDR4 ที่ประกอบโมดูลเข้าด้วยกันแล้วจะส่งข้อมูลได้ 3.2Gbps ซัมซุงจะร่วมกับผู้ผลิตฮาร์ดแวร์เซิร์ฟเวอร์ออกมาตรฐานของแรม DDR4 ในครึ่งหลังของปีนี้
ที่มา - TechSpot