ดูเหมือนยุคของหน่วยความจำแบบ DDR3 ยังไม่จบลงง่ายๆ เมื่อซัมซุงออกมาประกาศว่าเริ่มผลิตหน่วยความจำ DDR3 รุ่นใหม่ที่ใช้สถาปัตยกรรมขนาด 20 นาโนเมตรแล้ว
นอกจากจะขยับลงมาผลิตในขนาดเล็กลงที่ 20 นาโนเมตรแล้ว หน่วยความจำรุ่นใหม่นี้ยังออกแบบใหม่โดยวางทรานซิสเตอร์แบบใหม่เป็นแผงคู่ และมีชั้นบางๆ ตรงกลางทำหน้าที่เป็นตัวเก็บประจุ ซึ่งเป็นแนวทางที่จะใช้กับหน่วยความจำในอนาคตที่ขนาดเล็กลงไปอีก การเปลี่ยนมาวางทรานซิสเตอร์แบบใหม่นี้ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของหน่วยความจำได้มากขึ้น (แต่ไม่ได้ระบุตัวเลขออกมา)
สำหรับการเปลี่ยนมาใช้การผลิตขนาด 20 นาโนเมตร ช่วยลดการใช้พลังงานจากขนาด 25 นาโนเมตรลงถึง 25% ด้วยกันครับ
ที่มา - Samsung Tomorrow