ที่งาน IEEE International Memory Workshop ในปีนี้ IBM โดยนักวิจัยจาก IBM Research ประกาศความสำเร็จในการทำให้หน่วยความจำแบบ PCM (phase-change memory) สามารถเก็บข้อมูลได้ 3 บิตต่อหนึ่งเซลล์อย่างเป็นทางการ และถือเป็นการเปิดโอกาสให้กับแนวทางการเก็บข้อมูลในอนาคต
IBM ระบุว่าแต่เดิมแนวทางในการเก็บข้อมูลบน PCM นั้นจะเก็บข้อมูลได้เพียง 1 บิตต่อเซลล์เท่านั้น แต่ด้วยงานวิจัยชิ้นนี้จะทำให้สามารถเก็บได้ถึง 3 บิต ต่อ 1 เซลล์ โดยใช้อุณหภูมิที่สูงขึ้นและสามารถเก็บข้อมูลได้ แม้ว่าจะผ่านการใช้งานมาถึง 1 ล้านครั้ง ทำให้ได้ความจุที่เพิ่มมากขึ้น โดยสาธิตกับเซลล์ที่มาต่อกันจำนวน 64,000 ชิ้น (64k-cell array) IBM ระบุว่าเทคโนโลยีนี้หากเอาไปใช้กับหน่วยความจำแบบ flash ในปัจจุบัน จะทำให้ได้ความเร็วที่มากขึ้นกว่าเดิม (เช่น เอา PCM ไปเป็น cache หรือเก็บระบบปฏิบัติการ ทำให้เปิดเครื่องเร็วขึ้นกว่าเดิม)
ทั้งนี้ PCM หรือ phase-change memory เป็นเทคโนโลยีในการเก็บข้อมูลโดยอาศัยการเปลี่ยนแปลงสถานะของสารที่กำหนดเอาไว้ โดยมีค่าแทน 0 เมื่ออยู่ในสถานะเป็นอสัญฐาน (amorphous phase) และ 1 เมื่ออยู่ในสถานะเป็นคริสตัล (crystaline phase) ตัวอย่างที่ชัดเจนเช่นแผ่น Blu-ray แบบที่เขียนข้อมูลซ้ำไปซ้ำมาได้ (ลองดูวิดีโอประกอบด้านล่าง) โดยมีข้อดีทั้งข้อมูลที่ไม่หายเมื่อปิดเครื่อง และทนทานกว่าหน่วยความจำแบบ flash storage