นักวิจัยจากมหาวิทยาลัยเพนซิลวาเนีย (University of Pensylvania) ได้สร้างอุปกรณ์เก็บข้อมูล ที่อยู่บนพื้นฐานของลวดนาโน (Nanowire) ซึ่งสามารถเก็บข้อมูลเป็นจำนวนบิตได้มากกว่าหน่วยความจำแบบทั่วไป แทนที่จะเก็บข้อมูลอยู่ในรูปของ "0", "1" ก็จะสามารถเก็บได้เป็น "0", "1" และ "2" ความสามารถดังกล่าว นำไปสู่การพัฒนาอุปกรณ์เก็บข้อมูลรุ่นถัดไป ซึ่งมีความจุของข้อมูลสูงกว่าเดิม
ลวดนาโนที่ทางทีมวิจัยนำมาใช้ มีลักษณะโครงสร้างคล้ายกับสาย โคแอ็กเชียล (Coaxial) โดยส่วนของแกนทำด้วยสารประกอบระหว่าง เจอร์เมเนียม, เงิน, เทลลูเรียม หรือ Ge2Sb2Te5 ในขณะที่ส่วนนอกสร้างมาจาก เจอร์มันเนียม เทลลูไรด์ หรือ GeTe
เมื่อมีการเปลี่ยนแปลงความร้อนให้กับลวดนาโน ส่วนของแกนและเปลือกจะเปลี่ยนจากผลึก กลายเป็นรูปร่างที่ไม่แน่นอน ซึ่งสองสถานะนี้จะมีความต้านทานไฟฟ้าที่แตกต่างกัน ความต้านทานไฟฟ้าต่ำเมื่อแก่นและเปลือกอยู่ในสภาวะเป็นผลึก และจะมีความต้านทานสูงเมื่อทั้งแก่นและเปลือกอยู่ในสภาวะไร้รูปร่าง (Amorphous) ซึ่งจะนำมาใช้แทนค่าบิต 0 และ 1
บิตที่สามจะเกิดขึ้นก็ต่อเมื่อ แกนมีสถานะเป็นผลึกและเปลือกมีสภาวะไร้รูปร่าง (หรือกลับกัน) ซึ่งให้ค่าความต้านทานที่ต่างออกไป
นอกจากความจุที่เพิ่มสูงขึ้นแล้ว การใช้ลวดนาโนสามารถช่วยลดขนาดของอุปกรณ์ลงได้ และการผลิตหน่วยความจำสามารถทำได้มากขึ้น เนื่องมาจากขนาดที่เล็กลงนั่นเอง