IBM ร่วมกับพาร์ทเนอร์คือซัมซุงและ GLOBALFOUNDRIES ประกาศความสำเร็จของการผลิตชิประดับ 5 นาโนเมตรได้เป็นรายแรก
เทคนิคของ IBM เรียกว่า Gate-All-Around Transistor (GAAFET) ถูกนำมาใช้แทนสถาปัตยกรรม FinFET ที่ใช้กันอยู่ในปัจจุบัน แนวคิของมันคือการสร้างแผ่นเซมิคอนดักเตอร์แบบ "นาโนชีท" มาวางซ้อนทับกัน (stacked nanosheet) ได้ผลลัพธ์คือประสิทธิภาพดีขึ้น 40% ที่ระดับพลังงานเท่าเดิม หรือลดพลังงานลงได้ 75% ที่ประสิทธิภาพใกล้เคียงกัน เมื่อเทียบกับการผลิตแบบ 10 นาโนเมตรในท้องตลาด
ตอนนี้สถานะของ IBM ยังอยู่ในขั้นงานวิจัย รายละเอียดจะเผยแพร่ในการประชุม 2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits อีกสองสัปดาห์ข้างหน้า
ที่มา - IBM, Ars Technica