ซัมซุงประกาศเริ่มผลิตหน่วยความจำ eUFS แบบฝังขนาดความจุ 512GB แบบแมสแล้ว โดยจะใช้ชิป V-NAND แบบ 64 เลเยอร์ ซึ่งมีขนาดเท่ากับตัวเดิมอย่าง 256GB แบบ 48 เลเยอร์
ในแง่ของความเร็วของชิป eUFS ขนาด 512GB ตัวนี้สามารถอ่านเขียนได้ความเร็วสูงสุด 860 MB/s และ 255 MB/s ตามลำดับ ส่วนแบบสุ่มอยู่ที่ 42,000 IOPS และ 40,000 IOPS ตามลำดับ สามารถโอนไฟล์ FHD ขนาด 5GB ได้ภายใน 5 วินาที
ซัมซุงจะระบุว่าถึงแม้จะเริ่มสายการผลิตชิป eUFS ความจุ 512GB แล้วแต่ก็ยังคงให้ความสำคัญกับ eUFS ขนาด 256GB ที่ยังคงเป็นที่ต้องการของตลาดอยู่เช่นเดิม
ที่มา - Samsung